常見(jiàn)問(wèn)題

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Crystal時(shí)鐘元件使用過(guò)... Crystal時(shí)鐘元件使用過(guò)程中應(yīng)注意什么?為什么呢? 　　任何東西亦或者是設(shè)備,都會(huì)有一...

Crystal激勵(lì)電平真的可... Crystal激勵(lì)電平真的可以反映出晶體的性能嗎?石英晶振的性能會(huì)受什么樣的因素影響呢?...

晶振差異是怎樣看出的?... 晶振產(chǎn)品幾千上萬(wàn)種,光是一個(gè)品牌就有多個(gè)料號(hào),晶振也是有些復(fù)雜性,我們?nèi)绾慰焖龠M(jìn)行區(qū)...

日本地震致Kioxia工廠停... 日本氣象廳發(fā)布的消息稱(chēng)日本宮城縣附近海域20日上午發(fā)生6.1級(jí)地震,宮城縣和巖手縣等地震...

新手常遇的晶振問(wèn)題IQD... 我們都知道晶振是用于保持定時(shí)精度的微型電子元器件,內(nèi)部的時(shí)鐘模塊會(huì)接收石英晶體振蕩...

S12505T-32.000-X-R安基... S12510T-38.400-X1-R石英晶體S325025T-26.000-R無(wú)源晶振S11805T-30.000-X-R石英晶體振蕩...

VTEUMLJANF-32.000000泰... OXETGLJANF-16.000000石英水晶振子TVETCHSANF-40.000000泰藝OSC晶振TYETCCSANF-32.0000...

Abracon有源晶振原廠代... ASTMHTE-48.000MHZ-ZJ-E-T3石英晶振ASTMHTA-16.000MHZ-ZR-E艾博康晶振ASTMHTE-50.000MH...

SAW濾波器為第五代移動(dòng)... 移動(dòng)通信系統(tǒng)的發(fā)射端（TX）和接收端（RS）必須經(jīng)過(guò)濾波器濾波后才能發(fā)揮作用，由于其工...

壓電陶瓷和壓電石英各自... 晶振在應(yīng)用具體起到的作用，微控制器的時(shí)鐘源可以分為兩類(lèi)：基于機(jī)械諧振器件的時(shí)鐘源，...

一直活動(dòng)在高端科技領(lǐng)域... 隨著高端產(chǎn)品越來(lái)越受人們的追捧，高端石英晶振---溫補(bǔ)晶振更多的展現(xiàn)在人們的視野中。...

采購(gòu)商的你,想要國(guó)產(chǎn)的... 晶振因?yàn)槭请娮赢a(chǎn)品中最重要的一顆晶體元器件，因此為這個(gè)行業(yè)帶來(lái)巨大的商機(jī)，吸引著眾...

首頁(yè)晶振系列SG-8002LB可編程晶體振蕩器,愛(ài)普生平板筆記本晶振,進(jìn)口晶振

SG-8002LB可編程晶體振蕩器,愛(ài)普生平板筆記本晶振,進(jìn)口晶振

產(chǎn)品型號(hào)：16977117
頻率：1.0MHZ~125.0MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
產(chǎn)品介紹：愛(ài)普生SG-8002LB有源晶振,輸出:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,維持穩(wěn)定運(yùn)行,提供一個(gè)0.01超濾到0.1 uf旁路電容的位置盡可能接近電源水晶產(chǎn)品的終端(VCC -接地)...

SG-8002LB可編程石英晶體振蕩器,愛(ài)普生平板筆記本晶振,進(jìn)口晶振,愛(ài)普生SG-8002LB有源晶振,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,維持穩(wěn)定運(yùn)行,提供一個(gè)0.01超濾到0.1 uf旁路電容的位置盡可能接近電源水晶產(chǎn)品的終端(VCC -接地).最大化節(jié)約能源,密實(shí)度和精度.緊湊、節(jié)能和高精度技術(shù)愛(ài)普生的技術(shù)力量的源泉.極大地幫助減輕對(duì)環(huán)境的影響,例如,減少二氧化碳排放,節(jié)約資源.愛(ài)普生致力于環(huán)境保護(hù),節(jié)能和高精度的技術(shù)可以幫助抑制溫室氣體的排放.產(chǎn)品屬于無(wú)鉛環(huán)保產(chǎn)品.

愛(ài)普生晶振參數(shù)		SG-8002LB
頻率范圍	f0	1.0MHZ~125.0MHZ
電源電壓	VCC	4.5 V to 5.5 V/2.7 V to 3.6 V
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃to +125°C
工作溫度范圍	T_use	-20℃to +70°C / -40℃to +85°C
頻率公差	f_tol	B:±50×10^-6, C:±100×10^-6 L:±50 ×10^-6, M:±100×10^-6
電流消耗	ICC	30.0 mA Max.
禁用當(dāng)前	I_dis	30mA Max.
待機(jī)電流	I_std	50 μA Max.
占空比	SYM	45% to 60%/45% to 55%
高輸出電壓	VOH	45 % to 55 %
低輸出電壓	VOL	VCC -0.4 V Min.
輸出負(fù)載條件(TTL)* 1	L_TTL	5 TTL Max.
輸出負(fù)載條件(CMOS)	L_CMOS	15pF Max.
靜止啟用	VIH/VIL	2.0VMin./0.8VMax.
上升時(shí)間和下降時(shí)間	tr/ tf	4 ns Max.
啟動(dòng)時(shí)間	t_str	10 ms Max.
頻率老化	f_aging	±5 ×10^-6 / year Max.