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更多>>比較LC振蕩器和壓控振蕩器的頻率穩(wěn)定度
來(lái)源:http://m.argentinapack.com 作者:zhaoxiandz 2018年04月16
壓控振蕩器指輸出頻率與輸入控制電壓有對(duì)應(yīng)關(guān)系的振蕩電路(VCO),頻率是輸入信號(hào)電壓的函數(shù)的振蕩器VCO,振蕩器的工作狀態(tài)或振蕩回路的元件參數(shù)受輸入控制電壓的控制,就可構(gòu)成一個(gè)壓控振蕩器。
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?br /> 1.掌握晶體振蕩器與壓控振蕩器的基本工作原理。
2.比較LC振蕩器和晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。
二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1.熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。
2.分析與比較LC振蕩器與晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。
3.改變變?nèi)荻O管的偏置電壓,觀察振蕩器輸出頻率的變化。
三、基本原理
信號(hào)流程:Q3振蕩至Q2跟隨至Q1諧振選頻放大輸出;調(diào)頻W1(壓控調(diào)諧,電調(diào)諧),調(diào)幅W2
1.石英晶體振蕩器:將開(kāi)關(guān)2S的2撥下(斷開(kāi))、1撥上,1S全部斷開(kāi)(撥下),由3Q、13C、20C、晶體CRY1與10C構(gòu)成晶體振蕩器(皮爾斯振蕩電路),在振蕩頻率上晶體等效為電感。
2.壓控振蕩器(VCO):將1S的1或2撥上,2S的1撥下、2撥上(不接CRY1石英晶體),則變?nèi)荻O管1D、2D并聯(lián)在電感2L兩端。當(dāng)調(diào)節(jié)電位器W1時(shí),1D、2D兩端的反向偏壓隨之改變,從而改變了1D和2D的結(jié)電容Cj,也就改變了振蕩電路的等效電容,使振蕩頻率發(fā)生變化。其交流等效電路如圖3-2所示。
3.晶體壓控振蕩器
開(kāi)關(guān)1S的1接通或2接通,2S的1接通,就構(gòu)成了晶體壓控振蕩器。
四、實(shí)驗(yàn)步驟
1.將電路接成LC振蕩器,在室混溫下記下振蕩頻率、振蕩幅度于表3-1(示波器接于J1處)。
S1關(guān),2S交替接通2(LC振蕩器)和1(晶體振蕩器),或S2的1、2都通,并將數(shù)據(jù)記于下表中。
2.兩種壓控振蕩器的頻率變化范圍
1) 將電路連接成壓控振蕩器,示波器接于J1,直流電壓表(萬(wàn)用表)接于TP3。
2)將W1從低阻值、中阻值到高阻值位置,分別將變?nèi)荻O管的反向偏置電壓(萬(wàn)用表測(cè))、輸出頻率和輸出電壓記于下表3-2中。
3)將電路改接成晶體壓控振蕩器,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn),并將結(jié)果記于下表3-2中。
4)在晶體壓控振蕩器電路的基礎(chǔ)上,將2L并接于晶體兩端,但需將CC1斷開(kāi)或置于容量最小位置。然后重做上述實(shí)驗(yàn),將結(jié)果記于下表3-2中。(注:W1高阻值,TP3對(duì)地電壓最大,即W1抽頭在最上位置)。
表3-2(S1狀態(tài)為:1通(用27P)電容)
壹兆電子公司產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到電子數(shù)碼產(chǎn)品,衛(wèi)星GPS導(dǎo)航,智能電腦,智能手機(jī)等產(chǎn)品,與眾多高科技企業(yè)合作,兆現(xiàn)電子集石英晶振,陶瓷晶振,有源晶振的研發(fā),設(shè)計(jì),制造,營(yíng)銷和服務(wù)為一體,本公司產(chǎn)品率先解決了石英晶振,陶瓷晶振,音叉晶體,32.768KHZ等,頻率不穩(wěn)定,不抗跌落,不耐高溫等難題,月產(chǎn)量8000萬(wàn)只,成為同行業(yè)中的佼佼者,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷西歐一帶國(guó)家,巴西,中國(guó)香港,大陸,中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?br /> 1.掌握晶體振蕩器與壓控振蕩器的基本工作原理。
2.比較LC振蕩器和晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。
二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1.熟悉振蕩器模塊各元件及其作用。
2.分析與比較LC振蕩器與晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度。
3.改變變?nèi)荻O管的偏置電壓,觀察振蕩器輸出頻率的變化。
三、基本原理
信號(hào)流程:Q3振蕩至Q2跟隨至Q1諧振選頻放大輸出;調(diào)頻W1(壓控調(diào)諧,電調(diào)諧),調(diào)幅W2
1.石英晶體振蕩器:將開(kāi)關(guān)2S的2撥下(斷開(kāi))、1撥上,1S全部斷開(kāi)(撥下),由3Q、13C、20C、晶體CRY1與10C構(gòu)成晶體振蕩器(皮爾斯振蕩電路),在振蕩頻率上晶體等效為電感。
2.壓控振蕩器(VCO):將1S的1或2撥上,2S的1撥下、2撥上(不接CRY1石英晶體),則變?nèi)荻O管1D、2D并聯(lián)在電感2L兩端。當(dāng)調(diào)節(jié)電位器W1時(shí),1D、2D兩端的反向偏壓隨之改變,從而改變了1D和2D的結(jié)電容Cj,也就改變了振蕩電路的等效電容,使振蕩頻率發(fā)生變化。其交流等效電路如圖3-2所示。
3.晶體壓控振蕩器
開(kāi)關(guān)1S的1接通或2接通,2S的1接通,就構(gòu)成了晶體壓控振蕩器。
四、實(shí)驗(yàn)步驟
1.將電路接成LC振蕩器,在室混溫下記下振蕩頻率、振蕩幅度于表3-1(示波器接于J1處)。
S1關(guān),2S交替接通2(LC振蕩器)和1(晶體振蕩器),或S2的1、2都通,并將數(shù)據(jù)記于下表中。
2.兩種壓控振蕩器的頻率變化范圍
1) 將電路連接成壓控振蕩器,示波器接于J1,直流電壓表(萬(wàn)用表)接于TP3。
2)將W1從低阻值、中阻值到高阻值位置,分別將變?nèi)荻O管的反向偏置電壓(萬(wàn)用表測(cè))、輸出頻率和輸出電壓記于下表3-2中。
3)將電路改接成晶體壓控振蕩器,重復(fù)上述實(shí)驗(yàn),并將結(jié)果記于下表3-2中。
4)在晶體壓控振蕩器電路的基礎(chǔ)上,將2L并接于晶體兩端,但需將CC1斷開(kāi)或置于容量最小位置。然后重做上述實(shí)驗(yàn),將結(jié)果記于下表3-2中。(注:W1高阻值,TP3對(duì)地電壓最大,即W1抽頭在最上位置)。
表3-2(S1狀態(tài)為:1通(用27P)電容)
壹兆電子公司產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到電子數(shù)碼產(chǎn)品,衛(wèi)星GPS導(dǎo)航,智能電腦,智能手機(jī)等產(chǎn)品,與眾多高科技企業(yè)合作,兆現(xiàn)電子集石英晶振,陶瓷晶振,有源晶振的研發(fā),設(shè)計(jì),制造,營(yíng)銷和服務(wù)為一體,本公司產(chǎn)品率先解決了石英晶振,陶瓷晶振,音叉晶體,32.768KHZ等,頻率不穩(wěn)定,不抗跌落,不耐高溫等難題,月產(chǎn)量8000萬(wàn)只,成為同行業(yè)中的佼佼者,產(chǎn)品遠(yuǎn)銷西歐一帶國(guó)家,巴西,中國(guó)香港,大陸,中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)。
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