晶振會(huì)在什么情況下沒有信號(hào)輸出
全球進(jìn)口晶振知名代理商壹兆電子,集生產(chǎn)與銷售為一體.是國(guó)內(nèi)進(jìn)口晶振品牌指定供應(yīng)商,可提供 TXC晶振,鴻星晶振,加高晶振,泰藝晶振.專業(yè)提供進(jìn)口晶振一站式采購(gòu).質(zhì)量第一,服務(wù)至上.擁有專業(yè)的西鐵城晶振技術(shù)工程師為您解決進(jìn)口晶振篩選難題.
請(qǐng)拆下晶振并使用專業(yè)測(cè)試機(jī)測(cè)試其頻率和負(fù)載電容,看它們是否振動(dòng)并符合您的規(guī)格.您也可以將其發(fā)送給您的供應(yīng)商,讓他們?yōu)槟M(jìn)行測(cè)試.
請(qǐng)使用示波器或頻率計(jì)測(cè)量晶體兩端輸出的信號(hào).如果沒有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-1至步驟1-4執(zhí)行檢查.如果晶體的輸出端（Xout）有信號(hào)輸出,而輸入端（Xin）沒有信號(hào)輸出,請(qǐng)按照步驟1-5到步驟1-6檢查晶體.
等效電路測(cè)試西鐵城晶振,CM315D32768DZFT進(jìn)口晶振,表晶振32.768KHZ
微處理器的振蕩電路一般來源于Colpitts電路,如下圖所示:Cd和Cg為外部負(fù)載電容,已內(nèi)置在芯片組中.（請(qǐng)參考芯片組的規(guī)格）
Rf 為反饋電阻,200KΩ~1MΩ.它通常內(nèi)置在芯片組中.
Rd是470Ω~1KΩ的限位電阻.該電阻對(duì)于普通電路不是必需的,而僅適用于具有高電源的電路.

一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要一個(gè)負(fù)電阻,其值至少應(yīng)為晶體電阻的五倍.可以寫成|-R|>5Rr.
例如,要獲得穩(wěn)定的振蕩電路,當(dāng)晶振電阻值為40Ω時(shí),IC的負(fù)電阻值必須在Ω200Ω以下.
如果石英晶振參數(shù)正常,但在振蕩電路內(nèi)工作不穩(wěn)定,我們就得看看IC的電阻值是否太低, 無法驅(qū)動(dòng)電路.如果是這種情況,我們有三種方法可以改善這種情況:

降低外部電容（Cd 和 Cg）的值,并采用負(fù)載電容（CL）較低的其他晶振.

采用電阻（Rr）較低的晶體.

使用不等值Cd和Cg的設(shè)計(jì).我們可以增加Cd（Xout）的負(fù)載電容并減少Cg（Xin）的負(fù)載電容,以提高Xin的波形幅度輸出,用于其后端電路.
除了上述1-5的方法外,還可以按照步驟1-4-4的三種方法進(jìn)行.如果您的問題無法解決,請(qǐng)聯(lián)系晶體或IC制造商的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師以獲得進(jìn)一步的幫助.
“負(fù)電阻”是評(píng)價(jià)一個(gè)振蕩電路好壞的標(biāo)尺.在某些情況下,如老化、熱變化、電壓變化等,如果”Q”值較低,電路可能不會(huì)振蕩.因此,按照以下說明測(cè)量負(fù)電阻(-R)非常重要:

( 1 )將電阻(R)與晶體串聯(lián)
( 2 )將R的值從起點(diǎn)調(diào)整到振蕩的停止點(diǎn).
( 3 )測(cè)量振蕩過程中的R值.
( 4 )你將能夠獲得負(fù)電阻的值,|R|=R+Rr,并且Rr=晶體電阻.
PS連接電路的雜散電容可能會(huì)影響測(cè)量值.
當(dāng)Xout有信號(hào)輸出而Xin沒有輸出時(shí),表示后極Backend Circuit的功耗非常大.我們可以在電路的輸出和它的后電極之間添加一個(gè)緩沖器來驅(qū)動(dòng)后端電路.

如果出現(xiàn)以下任何一種情況,晶體不振動(dòng),負(fù)載電容不符合您的規(guī)格,或者當(dāng)前頻率與您的目標(biāo)頻率有很大差距,請(qǐng)將晶體發(fā)送給您的供應(yīng)商進(jìn)行質(zhì)量分析.如果頻率和負(fù)載電容符合您的規(guī)格,我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試.
進(jìn)口晶振正規(guī)代理商,提供差分晶振完美的解決方案,有源晶振及溫補(bǔ)晶振已被廣泛用于高端電子產(chǎn)品.國(guó)內(nèi)蘋果手機(jī)加工廠指名認(rèn)定日本進(jìn)口晶振代理商壹兆電子為溫補(bǔ)晶振唯一供應(yīng)商.
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